国产光刻机逆袭：从28纳米追赶到EUV光源自主研发，我们离全面突破还有多远？

你是否好奇，国产光刻机到底进展到了哪一步？专家陈明在播客中透露：国产深紫外光源已实现上百瓦功率，双工件台达到纳米级定位，甚至EUV光源原型机也已问世。虽然连续工作寿命仍是进口设备的一半，但通过四重曝光技术，国产设备已能制造出性能接近进口的7纳米级芯片。政策与资本正强力助推——930亿资金精准投入核心部件研发，临港200亿专项基金提供免税免租支持。未来3到5年，国产光刻机有望在14纳米封装等领域实现等效5纳米性能，彻底改写全球芯片格局。